文章目录

0 引言

1 实验

1.1 材料制备

1.2 器件制备

1.3 器件测试

2 结果分析与讨论

3 结语

文章摘要:近年来，二维磁性材料的发现为理解低维磁性提供了新平台，也为低功耗自旋电子学器件研发开辟了新方向。本工作采用化学气相传输法（CVT）制备了一种新型二维磁性材料RuCl₃，并基于RuCl₃设计并制备了隧穿磁阻器件。隧穿磁阻器件室温下电阻仅为1.4kΩ，表明RuCl₃在室温下具有导体行为；变温IV特性从线性行为向非线性隧穿行为的转变揭示了低温下RuCl₃由导体向莫特绝缘体转变的相变现象。2K下隧穿磁阻随面内磁场B的变化呈现出负磁阻的现象，偏压0.9V时负磁阻TMR高达2400%，这主要源于自旋过滤效应。基于RuCl₃的隧穿磁阻器件为深入理解低温磁场环境下RuCl₃的磁结构以及层间相互作用提供了有力的输运手段，同时也为开发新型读出磁头、磁随机存储器（MRAM）提供了新途径。

文章关键词:

论文作者:袁恺 胡欢 闵成彧 吴罚 毛亚会 程璐 

作者单位:联合微电子中心有限责任公司 

论文DOI:10.19772/j.cnki.2096-4455.2022.4.008

论文分类号:O469